[实用新型]一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器有效
| 申请号： | 202021835589.4 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN213184261U | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 颜军;陈像;颜志宇;龚永红;王烈洋;占连样;汤凡;蒲光明;陈伙立;骆征兵 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L43/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑晨鸣 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。立体封装结构包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。MRAM存储器包括上述立体封装结构；基片为MRAM芯片；电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；关键信号引脚通过立体封装结构中的金属连接线互连。本实用新型的立体封装MRAM存储器具备抗振动冲击能力，抗重离子单粒子效应能力强，高集成、高可靠的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 封装 mram 存储器 立体 结构 | ||
【主权项】：
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