[实用新型]一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器

说明书

本实用新型提供了一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。立体封装结构包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。MRAM存储器包括上述立体封装结构；基片为MRAM芯片；电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；关键信号引脚通过立体封装结构中的金属连接线互连。本实用新型的立体封装MRAM存储器具备抗振动冲击能力，抗重离子单粒子效应能力强，高集成、高可靠的优点。

技术领域

本实用新型涉及封装存储设备技术领域，尤其涉及一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。

背景技术

近些年来随着微电子技术、IC器件尺寸不断缩小和计算机运算速度的不断提高，封装技术已成为极为关键的技术。封装形式的优劣已影响到IC器件的频率、功耗、复杂性、可靠性和单位成本。集成电路封装的发展从DIP、SOP、QFP、MLF、MCM、BGA到CSP、SIP。目前封装的热点技术为高功率发光器件封装技术、低成本高效率图像芯片封装技术、芯片凸点和倒装技术、高可靠低成本封装技术、BGA基板封装技术、MCM多芯片组件封装技术、四边无引脚封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术等。

所谓SIP立体封装是一项近几年来新兴的一种集成电路封装技术，突破了传统的平面封装的概念；它是在三维立体空间内实现单个封装体内堆叠多个芯片(已封装芯片或裸片)的封装技术。SIP立体封装芯片由于其集成度高，抗振动冲击，抗辐射，功耗低等特点，在未来的航空、航天电子领域中将得到越来越广泛的应用。

目前大部分集成电路均采用平面贴装形式，即在同一个平面内集成单个芯片。当一些器件高度超过10mm时，该芯片在振动、机械冲击试验中管脚容易损伤，抗冲击能力差，严重时造成芯片跌落。在辐照试验中普通芯片由于受工艺水平的限制，一般器件抗辐射能力较差，只有经过抗辐射加固的芯片，在抗辐射试验中才能满足相应标准。特别在航空、航天应用领域，发射的卫星、探测器都是经过运载火箭搭载进入太空，且太空中电离辐射环境复杂，这就要求芯片必须具备抗振动冲击能力，抗电离辐射能力等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，本实用新型提供一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构MRAM存储器，能够使芯片具备抗振动冲击能力，抗电离辐射能力。

根据本实用新型的第一方面，提供一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构，包括：

从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；

所述引脚框架设有用于对外连接的引脚；

所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；

所述基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，所述模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。

优选地，所述基板与引脚框架为一体成型结构。

优选地，所述模块外壳是一层镍合金材料，所述镍合金材料由30％的镍、25％的铜和45％的金组成。

优选地，所述立体封装结构是一个密封的SOP封装模块。

优选地，所述基板、引脚框架和多个基片经灌胶后外表面为一层环氧树脂。

根据本实用新型的第二方面，提供一种MRAM存储器，包括：

上述的立体封装结构；

所述立体封装结构中的基片为MRAM芯片；

所述立体封装结构中的电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；