[实用新型]一种超大功率二极管封装结构有效
| 申请号： | 202021723588.0 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212648220U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 林茂昌;刘文松 | 申请（专利权）人： | 上海金克半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201100 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种超大功率二极管封装结构，包括第一、二引脚、第二引脚和塑封结构；其还包括至少三块二极管芯片和至少四个铜粒，每两个铜粒与一块二极管芯片的两级焊接连接，所有铜粒与所有芯片形成串联关系；第一、二引脚的第一、二芯片焊接部分别焊接在最外侧两个铜粒上；塑封结构封装所述第一、二引脚的第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、所有的铜粒、所有的二极管芯片；第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧，所述第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。本实用新型采用至少三块二极管芯片和至少四个铜粒串联起来进行封装，在提高功率的同时，也提高了散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超大 功率 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
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