[实用新型]一种超大功率二极管封装结构

说明书

本实用新型公开的一种超大功率二极管封装结构，包括第一、二引脚、第二引脚和塑封结构；其还包括至少三块二极管芯片和至少四个铜粒，每两个铜粒与一块二极管芯片的两级焊接连接，所有铜粒与所有芯片形成串联关系；第一、二引脚的第一、二芯片焊接部分别焊接在最外侧两个铜粒上；塑封结构封装所述第一、二引脚的第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、所有的铜粒、所有的二极管芯片；第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧，所述第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。本实用新型采用至少三块二极管芯片和至少四个铜粒串联起来进行封装，在提高功率的同时，也提高了散热性能。

技术领域

本实用新型涉及二极管封装技术领域,特别涉及一种超大功率二极管封装结构。

背景技术

目前所有二极管封装结构中只有一个芯片,芯片的功率受到限制。如果需要提高二极管的功率，通常需要将多个二极管串联起来使用，这样在PCB板上需要占据很多空间，无法实现电子设备的小型化。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种超大功率二极管封装结构，以提高单个二极管的功率，节省二极管在PCB板上所占据的空间。

本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：

一种超大功率二极管封装结构，包括第一引脚、第二引脚和塑封结构；所述第一引脚具有第一芯片焊接部、第一PCB板连接部以及第一连接部，所述第一连接部位于所述第一芯片焊接部与第一PCB板连接部之间；所述第二引脚具有第二芯片连接部、第二PCB板连接部以及第二连接部，所述第二连接部位于所述第二芯片焊接部与第二PCB板连接部之间；其特征在于，还包括至少三块二极管芯片和至少四个铜粒，每两个铜粒与一块二极管芯片的两级焊接连接，所有铜粒与所有芯片形成串联关系；所述第一引脚的第一芯片焊接部和第二引脚的第二芯片焊接部分别焊接在最外侧两个铜粒上；所述塑封结构封装所述第一引脚的第一芯片焊接部、第一连接部、所有的铜粒、所有的二极管芯片、所述第二引脚的第二连接部、第二芯片焊接部；所述第一PCB板连接部和所述第二PCB板连接部均位于所述塑封结构的外侧，所述第一PCB板连接部的末端和所述第二PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近所述塑封结构的底面。

在本实用新型的一个优选实施例中，所有的铜粒的边界尺寸与所有的二极管芯片的边界尺寸相适配；所述第一芯片焊接部和所述第二芯片焊接部的边界尺寸小于所述铜粒的边界尺寸。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一连接部具有一向远离所述铜粒方向突出的第一突起部和一与中间那块二极管芯片平齐的第一平直部，所述第一突起部的一端与所述第一芯片焊接部连接，所述第一突起部的另一端与所述第一平直部的一端连接，所述第一平直部与所述第一PCB板连接部的首端连接；所述第二连接部具有一向远离所述铜粒方向突出的第二突起部和一与中间那块二极管芯片平齐的第二平直部，所述第二突起部的一端与所述第二芯片焊接部连接，所述第二突起部的另一端与所述第二平直部的一端连接，所述第二平直部与所述第二PCB板连接部的首端连接；所述第一平直部和所述第二平直部位于中间那块二极管芯片的两侧，所述第一突起部和所述第二突起部分别位于最外侧的两个铜粒两侧的上下方。

在本实用新型的一个优选实施例中，在所述第一突起部的两侧均设置有第一凹陷部，在所述第二突起部的两侧均设置有第二凹陷部。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一引脚和第二引脚结构完全相同；所有铜粒的结构相同；所有二极管芯片的结构相同。

在本实用新型的一个优选实施例中，所有的二极管芯片均为瞬态抑制二极管芯片。

在本实用新型的一个优选实施例中，在所述第一PCB板连接部和所述第二PCB板连接部上均开设有一缺口，将所述第一PCB板连接部和所述第二PCB板连接部均分为两个PCB板焊接脚。

由于采用了如上的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：