[实用新型]双阴极沉积装置有效
| 申请号： | 202021642809.1 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN213142165U | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 顾婉莹;张敬娣;武启飞;冯敏强;廖良生 | 申请（专利权）人： | 苏州方昇光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/34;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 蒋慧妮 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种双阴极沉积装置，包括传输组件、设置于传输组件下方的溅射机构及蒸镀机构，所述传输组件的一侧设置有用于驱动所述传输组件转动的驱动机构，所述驱动机构工作，带动置于所述传输组件上的基片在蒸镀机构和溅射机构之间进行传输。本实用新型的有益效果体现在：本实用新型结合了热蒸镀与磁控溅射两种膜层沉积方法，设计出一种双阴极的OLED器件结构，大大提高了产量，同时，在降低成本的情况下还能满足大面积制备OLED器件的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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