[实用新型]双阴极沉积装置有效
| 申请号: | 202021642809.1 | 申请日: | 2020-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN213142165U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 顾婉莹;张敬娣;武启飞;冯敏强;廖良生 | 申请(专利权)人: | 苏州方昇光电股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/34;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 蒋慧妮 |
| 地址: | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阴极 沉积 装置 | ||
本实用新型提供了一种双阴极沉积装置,包括传输组件、设置于传输组件下方的溅射机构及蒸镀机构,所述传输组件的一侧设置有用于驱动所述传输组件转动的驱动机构,所述驱动机构工作,带动置于所述传输组件上的基片在蒸镀机构和溅射机构之间进行传输。本实用新型的有益效果体现在:本实用新型结合了热蒸镀与磁控溅射两种膜层沉积方法,设计出一种双阴极的OLED器件结构,大大提高了产量,同时,在降低成本的情况下还能满足大面积制备OLED器件的要求。
技术领域
本实用新型涉及一种双阴极沉积装置。
背景技术
目前市场上生产LCD、OLED等元器件中的阴极大多是通过热蒸镀的方式将Ag、Al、Mg、Li、Ca等低功函数的金属以单层或合金的方式沉积在基底上,该方式材料的利用率低、生产周期长,设备维护费用高,不适用于大面积大批量的OLED的生产与制造;磁控溅射镀膜是一种大面积镀膜技术,该技术沉积时间短,材料利用率高,但由于溅射沉积是在高能量与复杂的环境中进行的,直接通过磁控溅射OLED阴极很有可能会破坏有机层,导致器件性能下降,所以一般不用于OLED阴极层的制造。
实用新型内容
为了解决现有技术的不足,本实用新型提供了一种双阴极沉积装置。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
双阴极沉积装置,包括传输组件、设置于传输组件下方的溅射机构及蒸镀机构,所述传输组件的一侧设置有用于驱动所述传输组件转动的驱动机构,所述驱动机构工作,带动置于所述传输组件上的基片在蒸镀机构和溅射机构之间进行传输。
优选地,所述溅射机构与蒸镀机构之间设置有挡板,所述传输组件带动所述基片由所述蒸镀机构上方向所述溅射机构方向传输。
优选地,所述传输组件包括多个连接轴及套置于连接轴两端的支撑轮,所述连接轴通过安装座架设于支座上,所述连接轴等间距设置于所述支座上。
优选地,所述连接轴的一端延伸设置于所述支座外,且延伸出的一端上设置有同步轮,相邻连接轴上的同步轮之间通过同步带连接。
优选地,所述驱动机构为电机,所述电机的电机轴与一同步轮连接。
优选地,同一连接轴上的所述支撑轮之间的距离小于基片的长度,相邻连接轴上的支撑轮之间的距离小于基片的宽度。
优选地,所述电机的电机轴通过磁流体密封件与同步轮连接。
优选地,所述溅射机构包括条形溅射靶材。
优选地,所述蒸镀机构至少设置有两个,包括至少一个电阻加热蒸镀源蒸镀机构和电子束加热蒸镀源蒸镀机构。
优选地,所述电阻加热蒸镀源蒸镀机构及所述电子束加热蒸镀源蒸镀机构依次沿所述双阴极沉积装置的进口端向出口端方向分布。
本实用新型的有益效果体现在: 本实用新型结合了热蒸镀与磁控溅射两种膜层沉积方法,设计出一种双阴极的OLED器件结构,大大提高了产量,同时,在降低成本的情况下还能满足大面积制备OLED器件的要求。通过采用两种不同的热蒸镀方式,使得蒸镀速率得到大幅度的提高。
附图说明
图1:本实用新型的结构示意图。
图2:本实用新型图1的主视图。
图3:本实用新型图1的俯视图。
1、支座;11、基片;2、挡板;3、条形溅射靶材;4、金属蒸镀点源;51、连接轴;52、安装座;53、支撑轮;6、电机;7、主动轮;71、磁流体密封件;8、从动轮;9、同步带。
具体实施方式
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