[实用新型]一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机有效
| 申请号： | 202021459796.4 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN212752385U | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张伟刚;郑小霞;余建成;李刚;寇经纬;眭越;田新锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H04N5/225 | 分类号： | H04N5/225;H04N5/374 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 史晓丽 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机。旨在解决现有技术中存在的远场CMOS相机在真空环境下，其内部的CMOS传感器工作温度接近70度，容易导致远场CMOS相机整机性能严重恶化的技术问题，本实用新型包括机身和前盖板，以及在机身和前盖板之间形成的安装腔，安装腔内设有与前盖板平行的CMOS板，CMOS板上设有CMOS传感器和多个元器件；还包括设置于安装腔内且位于前盖板与CMOS板之间的导热垫；导热垫上设有让位孔；CMOS传感器安装于CMOS板上靠近导热垫的一侧，且位于让位孔内，元器件安装于CMOS板上远离导热垫的一侧，使得导热垫靠近CMOS板的一侧与CMOS板紧贴；导热垫靠近前盖板的一侧与前盖板紧贴。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 真空 环境 功率 激光 cmos 相机 | ||
【主权项】：
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