[实用新型]一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机有效
| 申请号： | 202021459796.4 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN212752385U | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张伟刚;郑小霞;余建成;李刚;寇经纬;眭越;田新锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H04N5/225 | 分类号： | H04N5/225;H04N5/374 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 史晓丽 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 真空 环境 功率 激光 cmos 相机 | ||
1.一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，包括机身(1)和前盖板(2)，以及在机身(1)和前盖板(2)之间形成的安装腔(3)，所述安装腔(3)内设有与前盖板(2)平行的CMOS板(4)，所述CMOS板(4)上设有CMOS传感器(5)和多个元器件；
其特征在于：
还包括设置于安装腔(3)内且位于前盖板(2)与CMOS板(4)之间的导热垫(6)；
所述导热垫(6)上设有让位孔(61)；
所述CMOS传感器(5)安装于CMOS板(4)上靠近导热垫(6)的一侧，且位于让位孔(61)内，所述元器件安装于CMOS板(4)上远离导热垫(6)的一侧，使得导热垫(6)靠近CMOS板(4)的一侧与CMOS板(4)紧贴；所述导热垫(6)靠近前盖板(2)的一侧与前盖板(2)紧贴。
2.根据权利要求1所述的一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，其特征在于：
所述前盖板(2)上靠近导热垫(6)的一侧设有凸台(21)；
所述导热垫(6)与凸台(21)紧贴。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，其特征在于：
所述导热垫(6)的厚度为0.3mm，导热系数为4.0W/m.K，适用温度范围为-50℃～200℃。
4.根据权利要求2所述的一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，其特征在于：
所述CMOS板(4)、导热垫(6)以及凸台(21)的长度均相同；
所述CMOS板(4)、导热垫(6)以及凸台(21)的宽度均相同。
5.根据权利要求1所述的一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，其特征在于：
所述让位孔(61)的孔壁与CMOS传感器(5)间存有间隙。
6.根据权利要求5所述的一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机，其特征在于：所述间隙为3mm。
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