[实用新型]一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构有效
申请号: | 202021338385.X | 申请日: | 2020-07-09 |
公开(公告)号: | CN212542435U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 何祖辉;邱嘉龙;朱永斌;李志军 | 申请(专利权)人: | 浙江天毅半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/12;H01L29/739 |
代理公司: | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 曹玉清 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,包括散热基板,所述散热基板的顶部纵向开设有凹槽,所述凹槽的内壁固定连接有导热硅胶,所述散热基板的内腔设置有安装基板,所述安装基板的顶部固定安装有沟槽型IGBT本体,所述安装基板顶部的左侧固定连接有开关频率传感器。本实用新型通过设置散热基板、凹槽、导热硅胶、安装基板、沟槽型IGBT本体、开关频率传感器、挡板、丝杆、限位块、限位滑槽、定位孔、连接块、定位杆、压缩弹簧、横板和螺槽配合使用,具有散热效果好和安装方便的优点,解决了现有的沟槽IGBT器件结构散热效果一般,且安装较为繁琐,无法满足使用者需求,降低了沟槽IGBT器件结构实用性的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 内置 开关 频率 传感器 沟槽 igbt 器件 结构 | ||
【主权项】:
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