[实用新型]一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构有效

专利信息
申请号: 202021338385.X 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212542435U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 何祖辉;邱嘉龙;朱永斌;李志军 申请(专利权)人: 浙江天毅半导体科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/12;H01L29/739
代理公司: 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 代理人: 曹玉清
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 内置 开关 频率 传感器 沟槽 igbt 器件 结构
【权利要求书】:

1.一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,包括散热基板(1),其特征在于:所述散热基板(1)的顶部纵向开设有凹槽(2),所述凹槽(2)的内壁固定连接有导热硅胶(3),所述散热基板(1)的内腔设置有安装基板(4),所述安装基板(4)的顶部固定安装有沟槽型IGBT本体(5),所述安装基板(4)顶部的左侧固定连接有开关频率传感器(6),所述安装基板(4)两侧的中心处均固定连接有连接块(13),所述散热基板(1)顶部的两侧均开设有限位滑槽(10),所述限位滑槽(10)的内腔设置有限位块(9),所述限位块(9)顶部的中心处固定连接有丝杆(8),所述丝杆(8)的顶部贯穿限位滑槽(10)并延伸至散热基板(1)的顶部,所述丝杆(8)表面的中心处套设有挡板(7),所述挡板(7)的顶部且远离丝杆(8)的一侧固定连接有压缩弹簧(15),所述压缩弹簧(15)的顶部固定连接有横板(17),所述横板(17)底部的中心处固定连接有定位杆(14),所述定位杆(14)的底部依次贯穿挡板(7)、连接块(13)和散热基板(1),所述挡板(7)、连接块(13)和散热基板(1)的顶部均开设有与定位杆(14)配合使用的定位孔(11),所述散热基板(1)顶部后侧的两侧均开设有与安装基板(4)配合使用的挡块(12)。

2.根据权利要求1所述的一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,其特征在于:所述开关频率传感器(6)的输出端与沟槽型IGBT本体(5)的输入端电连接,所述沟槽型IGBT本体(5)的数量为若干个。

3.根据权利要求1所述的一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,其特征在于:所述连接块(13)的底部与散热基板(1)的顶部接触,所述挡板(7)的底部与连接块(13)的顶部接触。

4.根据权利要求1所述的一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,其特征在于:所述限位滑槽(10)的截面形状为“T”形,所述限位块(9)的表面与限位滑槽(10)的内壁滑动连接。

5.根据权利要求1所述的一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,其特征在于:所述挡板(7)的顶部开设有与丝杆(8)配合使用的螺槽(18),所述横板(17)的顶部固定连接有拉环(16)。

6.根据权利要求1所述的一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,其特征在于:所述定位杆(14)的表面与定位孔(11)的内壁滑动连接,所述定位孔(11)的数量为若干个。

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