[实用新型]一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构有效

专利信息
申请号: 202021338385.X 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212542435U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 何祖辉;邱嘉龙;朱永斌;李志军 申请(专利权)人: 浙江天毅半导体科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/12;H01L29/739
代理公司: 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 代理人: 曹玉清
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 内置 开关 频率 传感器 沟槽 igbt 器件 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,包括散热基板,所述散热基板的顶部纵向开设有凹槽,所述凹槽的内壁固定连接有导热硅胶,所述散热基板的内腔设置有安装基板,所述安装基板的顶部固定安装有沟槽型IGBT本体,所述安装基板顶部的左侧固定连接有开关频率传感器。本实用新型通过设置散热基板、凹槽、导热硅胶、安装基板、沟槽型IGBT本体、开关频率传感器、挡板、丝杆、限位块、限位滑槽、定位孔、连接块、定位杆、压缩弹簧、横板和螺槽配合使用,具有散热效果好和安装方便的优点,解决了现有的沟槽IGBT器件结构散热效果一般,且安装较为繁琐,无法满足使用者需求,降低了沟槽IGBT器件结构实用性的问题。

技术领域

本实用新型涉及IGBT器件技术领域,具体为一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构。

背景技术

IGBT,又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域;开关频率传感器,又称频率开关传感器是将输入频率转换成按线性输出的直流电流、电压并隔离的模拟信号的仪器,是电力系统、远程控制、自动化控制系统等必需的模拟量采集的输入部件,随着科技的进步和社会的发展,开关频率传感器逐渐应用在IGBT器件上,现有的沟槽IGBT器件结构散热效果一般,且安装较为繁琐,无法满足使用者需求,降低了沟槽IGBT器件结构的实用性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,具备散热效果好和安装方便的优点,解决了现有的沟槽IGBT器件结构散热效果一般,且安装较为繁琐,无法满足使用者需求,降低了沟槽IGBT器件结构实用性的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种带有内置开关频率传感器的沟槽IGBT器件结构,包括散热基板,所述散热基板的顶部纵向开设有凹槽,所述凹槽的内壁固定连接有导热硅胶,所述散热基板的内腔设置有安装基板,所述安装基板的顶部固定安装有沟槽型IGBT本体,所述安装基板顶部的左侧固定连接有开关频率传感器,所述安装基板两侧的中心处均固定连接有连接块,所述散热基板顶部的两侧均开设有限位滑槽,所述限位滑槽的内腔设置有限位块,所述限位块顶部的中心处固定连接有丝杆,所述丝杆的顶部贯穿限位滑槽并延伸至散热基板的顶部,所述丝杆表面的中心处套设有挡板,所述挡板的顶部且远离丝杆的一侧固定连接有压缩弹簧,所述压缩弹簧的顶部固定连接有横板,所述横板底部的中心处固定连接有定位杆,所述定位杆的底部依次贯穿挡板、连接块和散热基板,所述挡板、连接块和散热基板的顶部均开设有与定位杆配合使用的定位孔,所述散热基板顶部后侧的两侧均开设有与安装基板配合使用的挡块。

优选的,所述开关频率传感器的输出端与沟槽型IGBT本体的输入端电连接,所述沟槽型IGBT本体的数量为若干个。

优选的,所述连接块的底部与散热基板的顶部接触,所述挡板的底部与连接块的顶部接触。

优选的,所述限位滑槽的截面形状为“T”形,所述限位块的表面与限位滑槽的内壁滑动连接。

优选的,所述挡板的顶部开设有与丝杆配合使用的螺槽,所述横板的顶部固定连接有拉环。

优选的,所述定位杆的表面与定位孔的内壁滑动连接,所述定位孔的数量为若干个。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

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