[实用新型]共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构有效
| 申请号： | 202021334329.9 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN212542436U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 颜宗贤;王兴烨;沈峰睿 | 申请（专利权）人： | 鸿镓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，包括有一导线架，此导线架上直接设置有一氮化镓场效电晶体及一金属氧化物半导体。氮化镓场效电晶体包括有一直接设置于导线架上的第一基体，此第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中第一漏极及第一栅极分别电性连接至导线架。金属氧化物半导体包括有一直接设于导线架上的第二基体，此第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中第二漏极与第一源极直接电性连接，且第二栅极及第二源极分别电性连接至导线架。本实用新型使用水平式半导体，使半导体的漏极与氮化镓电晶体的源极直接电性连接，具有简化结构的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 氮化 镓场效 电晶体 封装 结构 | ||
【主权项】：
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