[实用新型]共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构

说明书

一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，包括有一导线架，此导线架上直接设置有一氮化镓场效电晶体及一金属氧化物半导体。氮化镓场效电晶体包括有一直接设置于导线架上的第一基体，此第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中第一漏极及第一栅极分别电性连接至导线架。金属氧化物半导体包括有一直接设于导线架上的第二基体，此第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中第二漏极与第一源极直接电性连接，且第二栅极及第二源极分别电性连接至导线架。本实用新型使用水平式半导体，使半导体的漏极与氮化镓电晶体的源极直接电性连接，具有简化结构的功效。

技术领域

本实用新型与半导体电晶体有关，尤指一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构。

背景技术

图2所示为一种共源共栅氮化镓场效电晶体的习知封装结构，其包括有一导线架5，且导线架5上设有一垂直式的金属氧化物半导体7及一氮化镓场效电晶体6。氮化镓场效电晶体6设有一漏极61、一栅极62及一源极63，而金属氧化物半导体7设有一漏极71、一栅极72及一源极73，其中垂直式金属氧化物半导体7的漏极71位于底面，为了顺利与氮化镓场效电晶体6的源极63电性连接，则须于半导体7的漏极71下方设置一层面积较大的金属镀膜81，如此又须更进一步地于导线架5上设置绝缘的陶瓷基板82，以隔开金属镀膜81与导线架5。因此，习知共源共栅氮化镓场效电晶体的结构及制程皆较为复杂，而有成本较高的缺失。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其使用水平式半导体，使半导体的漏极与氮化镓电晶体的源极直接电性连接，具有简化结构的功效。

为达前述的目的，本实用新型提供一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其包括有：

一导线架；

一氮化镓场效电晶体，其包括有一直接设置于该导线架上的第一基体，该第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中该第一漏极及该第一栅极分别电性连接至该导线架；

一金属氧化物半导体，其包括有一直接设于该导线架上的第二基体，该第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中该第二漏极与该第一源极直接电性连接，且该第二栅极及该第二源极分别电性连接至该导线架。

于一实施例中，以一封装体包覆该导线架、该氮化镓场效电晶体及该金属氧化物半导体。

较佳地，该导线架设有一伸出该封装体外的接脚。

本实用新型的优点在于：

本实用新型提供的共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其使用水平式半导体，使半导体的漏极与氮化镓电晶体的源极直接电性连接，具有简化结构的功效。

附图说明

图1为本实用新型的构造示意图；

图2为习知结构的构造示意图。

具体实施方式

请参阅图1，所示为本实用新型提供的共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其包括有一导线架1，该导线架1上直接设置有一氮化镓场效电晶体2(GaN FET)及一水平式的金属氧化物半导体3(MOS)，其中该氮化镓场效电晶体2具有一直接结合于该导线架1上的第一基体21，该第一基体21的表侧设有一第一漏极22、一第一栅极23及一第一源极24，上述该第一漏极22及该第一栅极23分别电性连接至该导线架1；该金属氧化物半导体3具有一直接结合于该导线架1上的第二基体31，该第二基体31的表侧设有一第二漏极32、一第二栅极33及一第二源极34，上述该第二栅极33及该第二源极34分别电性连接至该导线架1。