[实用新型]共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构有效
| 申请号： | 202021334329.9 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN212542436U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 颜宗贤;王兴烨;沈峰睿 | 申请（专利权）人： | 鸿镓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共源共栅 氮化 镓场效 电晶体 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其特征在于，包括有：
一导线架；
一氮化镓场效电晶体，其包括有一直接设置于该导线架上的第一基体，该第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中该第一漏极及该第一栅极分别电性连接至该导线架；
一金属氧化物半导体，其包括有一直接设于该导线架上的第二基体，该第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中该第二漏极与该第一源极直接电性连接，且该第二栅极及该第二源极分别电性连接至该导线架。
2.如权利要求1所述的共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其特征在于，以一封装体包覆该导线架、该氮化镓场效电晶体及该金属氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，其特征在于，该导线架设有一伸出该封装体外的接脚。
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