[实用新型]一种提升容值的补偿电容结构有效
| 申请号： | 202020948485.8 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN212084973U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 宋爽 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L49/02 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种提升容值的补偿电容结构，包括：在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属；在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层；在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层；在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属；在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层；在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔；在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容。两个电容可以为器件带来更大的电容值，在电容值增大后，可以有效改善画面均一性，提升显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 补偿 电容 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
