[实用新型]一种提升容值的补偿电容结构

权利要求书

1.一种提升容值的补偿电容结构，其特征在于，包括：

在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分；

在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层；

在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层；

在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层；

在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作为电容的组成部分；

在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层；

在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔，第二过孔的底部为第一极板金属并位于第二极板金属的一侧，第三过孔的底部为第二半导体层并位于第二极板金属的外侧；

在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属，第三极板金属用于作为电容的组成部分，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的一种提升容值的补偿电容结构，其特征在于，还包括：

在第一极板金属区域的第一绝缘层上设置有第一半导体层，第二极板金属通过第二绝缘层上的第一过孔与第一半导体层连接。