[实用新型]一种提升容值的补偿电容结构有效

专利信息
申请号: 202020948485.8 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN212084973U 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 宋爽 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L49/02
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 徐剑兵;林祥翔
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 提升 补偿 电容 结构
【说明书】:

本实用新型提供一种提升容值的补偿电容结构,包括:在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属;在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层;在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层;在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层;在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属;在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层;在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔;在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容。两个电容可以为器件带来更大的电容值,在电容值增大后,可以有效改善画面均一性,提升显示质量。

技术领域

本实用新型涉及OLED器件领域,尤其涉及一种提升容值的补偿电容结构。

背景技术

有机发光二极管显示器由于其具有自发光,对比度高,是较广,可应用于目前新型柔性显示器,且构造及制程简单,已成为市场上新一代平板显示技术

Dual Gata(双栅)结构的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)显示出对漏极电流和阈值电压Vth的更精确和有效的控制,表现出更优的器件特性。请参阅图1和图2,以现有AM-OLED器件最简单的2T1C为例(两个电晶体管夹着一个储存电容)结构,存储电容C是维持像素点位的主要手段,Dual Gata(双栅)结构的薄膜晶体管区为第一栅极金属、第二半导体层、第二极板金属、源漏极金属,电容区为第一极板金属、第一绝缘层、第二绝缘层和第二极板金属。其中,第一极板金属和第二极板金属组成一个电容,该电容的容值较小。

增大储存电容可以有效改善画面均一性,但增大存储电容的方法一般为增大电极板的面积,但增大电极的面积导致器件尺寸无法缩小,影响显示分辨率。

实用新型内容

为此,需要提供一种提升容值的补偿电容结构,解决电容容值不足的问题。

为实现上述目的,发明人提供了一种提升容值的补偿电容结构,包括:

在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属,第一栅极金属位于第一极板金属的一侧,第一极板金属用于作为电容的组成部分;

在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层;

在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层;

在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层;

在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属,第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上,第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上,第二极板金属用于作为电容的组成部分;

在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层;

在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔,第二过孔的底部为第一极板金属并位于第二极板金属的一侧,第三过孔的底部为第二半导体层并位于第二极板金属的外侧;

在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属,第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属,第三极板金属用于作为电容的组成部分,源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层。

进一步地,还包括:

在第一极板金属区域的第一绝缘层上设置有第一半导体层,第二极板金属通过第二绝缘层上的第一过孔与第一半导体层连接。

区别于现有技术,上述技术方案设置第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容,分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。两个电容可以为器件带来更大的电容值,在电容值增大后,可以有效改善画面均一性,提升显示质量。

附图说明

图1为背景技术所述Dual Gata结构的电容的剖面结构示意图;

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