[实用新型]一种提升容值的补偿电容结构有效
申请号: | 202020948485.8 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN212084973U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 宋爽 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L49/02 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 补偿 电容 结构 | ||
本实用新型提供一种提升容值的补偿电容结构,包括:在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属;在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层;在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层;在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层;在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属;在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层;在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔;在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容。两个电容可以为器件带来更大的电容值,在电容值增大后,可以有效改善画面均一性,提升显示质量。
技术领域
本实用新型涉及OLED器件领域,尤其涉及一种提升容值的补偿电容结构。
背景技术
有机发光二极管显示器由于其具有自发光,对比度高,是较广,可应用于目前新型柔性显示器,且构造及制程简单,已成为市场上新一代平板显示技术
Dual Gata(双栅)结构的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)显示出对漏极电流和阈值电压Vth的更精确和有效的控制,表现出更优的器件特性。请参阅图1和图2,以现有AM-OLED器件最简单的2T1C为例(两个电晶体管夹着一个储存电容)结构,存储电容C是维持像素点位的主要手段,Dual Gata(双栅)结构的薄膜晶体管区为第一栅极金属、第二半导体层、第二极板金属、源漏极金属,电容区为第一极板金属、第一绝缘层、第二绝缘层和第二极板金属。其中,第一极板金属和第二极板金属组成一个电容,该电容的容值较小。
增大储存电容可以有效改善画面均一性,但增大存储电容的方法一般为增大电极板的面积,但增大电极的面积导致器件尺寸无法缩小,影响显示分辨率。
实用新型内容
为此,需要提供一种提升容值的补偿电容结构,解决电容容值不足的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种提升容值的补偿电容结构,包括:
在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属,第一栅极金属位于第一极板金属的一侧,第一极板金属用于作为电容的组成部分;
在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层;
在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层;
在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层;
在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属,第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上,第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上,第二极板金属用于作为电容的组成部分;
在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层;
在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔,第二过孔的底部为第一极板金属并位于第二极板金属的一侧,第三过孔的底部为第二半导体层并位于第二极板金属的外侧;
在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属,第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属,第三极板金属用于作为电容的组成部分,源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层。
进一步地,还包括:
在第一极板金属区域的第一绝缘层上设置有第一半导体层,第二极板金属通过第二绝缘层上的第一过孔与第一半导体层连接。
区别于现有技术,上述技术方案设置第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容,分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。两个电容可以为器件带来更大的电容值,在电容值增大后,可以有效改善画面均一性,提升显示质量。
附图说明
图1为背景技术所述Dual Gata结构的电容的剖面结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造