[实用新型]一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置有效
| 申请号： | 202020258393.7 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN211497868U | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 汪良;王旻峰;付芬;邓树军 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，包括籽晶、碳化硅原料、坩埚、晶体生长腔、电阻加热器电极、电阻组合式加热器和保温材料层，所述坩埚的内部空腔中填充有碳化硅原料，所述坩埚的顶部内壁向内凸起，且内壁表面上设有籽晶，所述坩埚的外部套接有组合式加热器，所述组合式加热器由多个相互堆叠的电阻加热器组成，所述电阻加热器的两端为电阻加热器电极，所述坩埚和组合式加热器的外部包覆有保温材料层，所述电阻加热器电极贯穿保温材料层并向外延伸，多个所述电阻加热器电极成螺旋状排布，所述保温材料层的外侧设有晶体生长腔。通过热场分段加热方式的改变，可以提高碳化硅晶体的生长高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 晶体生长 高度 加热 装置 | ||
【主权项】：
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