[实用新型]一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置

权利要求书

1.一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，包括籽晶(1)、碳化硅原料(2)、坩埚(3)、晶体生长腔(4)、电阻加热器电极(5)、电阻组合式加热器(6)和保温材料层(7)，其特征在于：所述坩埚(3)的内部空腔中填充有碳化硅原料(2)，所述坩埚(3)的顶部内壁向内凸起，且内壁表面上设有籽晶(1)，所述坩埚(3)的外部套接有组合式加热器(6)，所述组合式加热器(6)由多个相互堆叠的电阻加热器(61)组成，所述电阻加热器(61)的两端为电阻加热器电极(5)，所述坩埚(3)和组合式加热器(6)的外部包覆有保温材料层(7)，所述电阻加热器电极(5)贯穿保温材料层(7)并向外延伸，多个所述电阻加热器电极(5)成螺旋状排布，所述保温材料层(7)的外侧设有晶体生长腔(4)。

2.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，其特征在于：所述电阻加热器(61)包括石墨电阻丝(611)和绝缘材料层(612)，石墨电阻丝(611)的外部包覆有绝缘材料层(612)。

3.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，其特征在于：所述碳化硅原料(2)的表面与籽晶(1)间距为40-200mm。

4.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，其特征在于：所述保温材料层(7)为成型石墨毡。

5.根据权利要求2所述的一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，其特征在于：所述绝缘材料层(612)位于坩埚(3)和石墨电阻丝(611)之间，绝缘材料层(612)为石墨棉板。

6.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅晶体生长高度的热场加热装置，其特征在于：所述组合式加热器(6)中电阻加热器(61)的数量为10-50个。