[实用新型]抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈有效
| 申请号： | 202020077090.5 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN211698150U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 朱永红 | 申请（专利权）人： | 湖南省永逸科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙) 43211 | 代理人： | 刘宏 |
| 地址： | 417000 湖南省娄底市湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。所述抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈，通过将第一亥姆霍兹线圈固定安装在第二亥姆霍兹线圈中，且两者的几何中心和轴线重合设置，并且两者反向串联，且展开面积相等，当受到远端磁场的波动干扰而分别产生感应时，第一亥姆霍兹线圈的感应与第二亥姆霍兹线圈的感应可以直接抵消，从而使外部磁场的波动不再对积分有贡献，从而隔离了远端磁场的波动干扰，从而可以使用到更恶劣的环境中，并且相较于现有亥姆霍兹线圈连接磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时准确度也更高。 | ||
| 搜索关键词： | 远端 磁场 波动 干扰 亥姆霍兹磁矩 测试 线圈 | ||
【主权项】：
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