[实用新型]抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈有效
| 申请号: | 202020077090.5 | 申请日: | 2020-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN211698150U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 朱永红 | 申请(专利权)人: | 湖南省永逸科技有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
| 代理公司: | 长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙) 43211 | 代理人: | 刘宏 |
| 地址: | 417000 湖南省娄底市湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 远端 磁场 波动 干扰 亥姆霍兹磁矩 测试 线圈 | ||
本实用新型公开了一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。所述抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,通过将第一亥姆霍兹线圈固定安装在第二亥姆霍兹线圈中,且两者的几何中心和轴线重合设置,并且两者反向串联,且展开面积相等,当受到远端磁场的波动干扰而分别产生感应时,第一亥姆霍兹线圈的感应与第二亥姆霍兹线圈的感应可以直接抵消,从而使外部磁场的波动不再对积分有贡献,从而隔离了远端磁场的波动干扰,从而可以使用到更恶劣的环境中,并且相较于现有亥姆霍兹线圈连接磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时准确度也更高。
技术领域
本实用新型涉及亥姆霍兹线圈技术领域,特别地,涉及一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈。
背景技术
亥姆霍兹线圈具有开敞性质,方便永磁材料样品置入或移出,适合用于对永磁材料样品的磁矩测量。现有利用亥姆霍兹线圈对永磁样品或永磁器件的磁矩进行测量的过程具体为:采用提拉法将永磁磁体从线圈的中心移除到线圈的外部,在此过程中因磁场的变化,亥姆霍兹线圈将有感应电压输出V,通过与线圈输出端连接的积分器将获得磁通量φ,将磁通量乘以线圈的磁矩线圈常数K,可获得样品的磁矩M。这也是大家所共知的传统方法。
但是,测试亥姆霍兹线圈不光对永磁磁体的提拉进行感应积分,同时也会对空间磁场的波动进行感应积分,例如地磁波动、远端铁磁物移动引起的磁场变化、远端永磁材料移动引起的磁场变化等,这些远端磁场的波动干扰会对测试亥姆霍兹线圈的感应积分带来干扰,在有远端磁场波动的环境中不能保证测试结果的准确性和重复性。
因此,现有的亥姆霍兹线圈无法适用于周围磁场变化的恶劣环境,在利用磁通计进行自动或手动漂移偏置调节时的准确度也无法控制,由此造成测试获得磁通值的准确度和重复性比较差,甚至无法使用。
实用新型内容
本实用新型提供了一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,有利于解决现有的亥姆霍兹线圈容易受到远端磁场的波动干扰而导致无法适用于周围磁场变化的环境问题,同时也有利于满足磁通计进行自动或手动漂移调节时准确度较低的技术问题。
根据本实用新型的一个方面,提供一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,包括第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈,所述第一亥姆霍兹线圈固定安装在第二亥姆霍兹线圈中,两者的几何中心和轴线均重合,所述第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈反向串联,且两者的展开面积相等。
进一步地,所述第一亥姆霍兹线圈包括第一线圈框架和周向套设在第一线圈框架上的第一对线圈,所述第二亥姆霍兹线圈包括第二线圈框架和周向套设在第二线圈框架上的第二对线圈,所述第二线圈框架的顶端中部镂空,所述第二线圈框架的底端设置有安装板,所述第一线圈框架固定安装在所述安装板上且位于所述第二线圈框架的内部,且所述第一对线圈和第二对线圈反向串联。
进一步地,所述第一亥姆霍兹线圈的线圈总匝数为N1,线圈的单匝平均面积为S1,所述第二亥姆霍兹线圈的线圈总匝数为N2,线圈的单匝平均面积为S2,N1*S1=N2*S2。
进一步地,所述第一亥姆霍兹线圈的有效半径为R1,所述第二亥姆霍兹线圈的有效半径为R2,N1/N2=4,R1/R2=1/2。
进一步地,所述第一亥姆霍兹线圈的线圈匝数为2580匝,有效半径为75mm,所述第二亥姆霍兹线圈的线圈匝数为645匝,有效半径为150mm。
进一步地,所述第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈均为标准的一维亥姆霍兹线圈。
进一步地,所述第一对线圈和第二对线圈的形状为圆形或者方形。
本实用新型具有以下有益效果:
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