[实用新型]抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈有效
| 申请号: | 202020077090.5 | 申请日: | 2020-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN211698150U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 朱永红 | 申请(专利权)人: | 湖南省永逸科技有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
| 代理公司: | 长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙) 43211 | 代理人: | 刘宏 |
| 地址: | 417000 湖南省娄底市湘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 远端 磁场 波动 干扰 亥姆霍兹磁矩 测试 线圈 | ||
1.一种抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
包括第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2),所述第一亥姆霍兹线圈(1)固定安装在第二亥姆霍兹线圈(2)中,两者的几何中心和轴线均重合,所述第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2)反向串联,且两者的展开面积相等。
2.如权利要求1所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)包括第一线圈框架(11)和周向套设在第一线圈框架(11)上的第一对线圈,所述第二亥姆霍兹线圈(2)包括第二线圈框架(12)和周向套设在第二线圈框架(12)上的第二对线圈,所述第二线圈框架(12)的顶端中部镂空,所述第二线圈框架(12)的底端设置有安装板(13),所述第一线圈框架(11)固定安装在所述安装板(13)上且位于所述第二线圈框架(12)的内部,且所述第一对线圈和第二对线圈反向串联。
3.如权利要求1所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)的线圈总匝数为N1,线圈的单匝平均面积为S1,所述第二亥姆霍兹线圈(2)的线圈总匝数为N2,线圈的单匝平均面积为S2,N1*S1=N2*S2。
4.如权利要求3所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)的有效半径为R1,所述第二亥姆霍兹线圈(2)的有效半径为R2,N1/N2=4,R1/R2=1/2。
5.如权利要求4所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)的线圈匝数为2580匝,有效半径为75mm,所述第二亥姆霍兹线圈(2)的线圈匝数为645匝,有效半径为150mm。
6.如权利要求2所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一亥姆霍兹线圈(1)和第二亥姆霍兹线圈(2)均为标准的一维亥姆霍兹线圈。
7.如权利要求2所述的抗远端磁场波动干扰的亥姆霍兹磁矩测试线圈,其特征在于,
所述第一对线圈和第二对线圈的形状为圆形或者方形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南省永逸科技有限公司,未经湖南省永逸科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020077090.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型油桶
- 下一篇:一种低电源电压宽共模输入范围运算放大器电路





