[实用新型]MSM光敏探测器及显示基板有效
| 申请号： | 202020009123.2 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN210743965U | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈江博;李延钊;李达;李凡;刘晓惠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种MSM光敏探测器及显示基板，属于显示技术领域。本实用新型的MSM光敏探测器，包括：第一基底，设置在第一基底上的电极层，所述电极层包括多个电极图案；所述MSM光敏探测器还包括：半导体层，所述半导体层与所述第一基底对盒设置，且所位于所述第一基底的靠近所述电极层的一侧；势垒增强层，其设置于所述半导体层靠近所述电极层的一侧，且至少与所述电极图案对应设置。 | ||
| 搜索关键词： | msm 光敏 探测器 显示 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
