[实用新型]MSM光敏探测器及显示基板

说明书

本实用新型提供一种MSM光敏探测器及显示基板，属于显示技术领域。本实用新型的MSM光敏探测器，包括：第一基底，设置在第一基底上的电极层，所述电极层包括多个电极图案；所述MSM光敏探测器还包括：半导体层，所述半导体层与所述第一基底对盒设置，且所位于所述第一基底的靠近所述电极层的一侧；势垒增强层，其设置于所述半导体层靠近所述电极层的一侧，且至少与所述电极图案对应设置。

技术领域

本实用新型属于MSM光敏探测器技术领域，具体涉及一种MSM光敏探测器及显示基板。

背景技术

金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal Photo Detector；MSM)光电探测器由于其响应速度快、灵敏度高、结构简单、制备工艺简单、易于集成以及成本低等特点，获得了广泛的关注和应用。

现有技术中，为了提高MSM光电探测器的肖特基势垒高度，减小暗电流，可以采用在MSM光电探测器的半导体层与金属电极之间加一层薄的势垒增强层来增加势垒高度。

但是现有技术中MSM光电探测器的势垒层厚度均匀程度控制效果不佳，导致MSM光电探测器的性能均匀性并不好。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种整体均匀性较好，暗电流较小的MSM光敏探测器。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种MSM光敏探测器，包括：第一基底，设置在第一基底上的电极层，所述电极层包括多个电极图案；所述MSM光敏探测器还包括：

半导体层，所述半导体层与所述第一基底对盒设置，且所位于所述第一基底的靠近所述电极层的一侧；

势垒增强层，其设置于所述半导体层靠近所述电极层的一侧，且至少与所述电极图案对应设置。

优选的，所述MSM光敏探测器还包括：第二基底，其与所述第一基底对盒设置；

所述半导体层设置在所述第二基底靠近所述第一基底的一侧。

优选的，所述MSM光敏探测器还包括：缓冲层，其设置于所述第一基底上，且位于所述电极层靠近所述第一基底的一侧。

进一步优选的，所述缓冲层包括多个缓冲图案，所述缓冲图案与所述电极图案一一对应。

进一步优选的，所述缓冲层的材料包括有机材料。

优选的，所述半导体层的材料包括硅。

优选的，所述势垒增强层的材料包括二氧化硅；

所述势垒增强层与所述半导体层为一体结构。

优选的，所述势垒增强层通过对所述半导体层的靠近所述第一基底的一面进行热氧化工艺形成。

进一步优选的，所述势垒增强层的材料包括氮化硅。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括上述任意一种MSM光敏探测器。

附图说明

图1为现有的MSM光敏探测器的结构示意图；

图2为本实用新型的实施例的一种光敏探测器的结构示意图；

图3为本实用新型的实施例的另一种光敏探测器的结构示意图；

其中附图标记为：1、第一基底；2、缓冲层；3、电极层；4、势垒增强层；5、半导体层；6、第二基底。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：