[实用新型]MSM光敏探测器及显示基板有效
| 申请号： | 202020009123.2 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN210743965U | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈江博;李延钊;李达;李凡;刘晓惠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | msm 光敏 探测器 显示 | ||
1.一种MSM光敏探测器，包括：第一基底，设置在第一基底上的电极层，所述电极层包括多个电极图案；其特征在于，所述MSM光敏探测器还包括：
半导体层，所述半导体层与所述第一基底对盒设置，且所位于所述第一基底的靠近所述电极层的一侧；
势垒增强层，其设置于所述半导体层靠近所述电极层的一侧，且至少与所述电极图案对应设置。
2.根据权利要求1所述的MSM光敏探测器，其特征在于，还包括：第二基底，其与所述第一基底对盒设置；
所述半导体层设置在所述第二基底靠近所述第一基底的一侧。
3.根据权利要求1所述的MSM光敏探测器，其特征在于，还包括：缓冲层，其设置于所述第一基底上，且位于所述电极层靠近所述第一基底的一侧。
4.根据权利要求3所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述缓冲层包括多个缓冲图案，所述缓冲图案与所述电极图案一一对应。
5.根据权利要求3所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述缓冲层的材料包括有机材料。
6.根据权利要求1所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述半导体层的材料包括硅。
7.根据权利要求6所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述势垒增强层的材料包括二氧化硅；
所述势垒增强层与所述半导体层为一体结构。
8.根据权利要求7所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述势垒增强层通过对所述半导体层的靠近所述第一基底的一面进行热氧化工艺形成。
9.根据权利要求6所述的MSM光敏探测器，其特征在于，所述势垒增强层的材料包括氮化硅。
10.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的MSM光敏探测器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
