[实用新型]一种碳化硅沉积的进气系统有效
申请号: | 202020006752.X | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN211713195U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/32 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供一种碳化硅沉积的进气系统,属于化学气相沉积设备技术领域,该进气系统包括罐体、氢气源、第一管路、氩气源、第二管路、第三管路和储存MTS的储液罐,罐体分别通过第一管路、第二管路、第三管路与氢气源、氩气源以及储液罐连通;还包括软管和水源,软管的进水口和出水口分别通过进水管和出水管与水源连通;软管的管壁上固接第一水袋和第二水袋,软管的管壁上设有连通第一水袋的第一通孔和连通第二水袋的第二通孔,第一水袋和第二水袋上分别设有第一座和第二座,第一座和第二座连接时,第一水袋、第二水袋以及软管组成环体,第三管路置于环体的内环孔中。该碳化硅沉积的进气系统可以避免第三管路中的MTS液化,保证沉积出的碳化硅质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 沉积 系统 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的