[实用新型]一种碳化硅沉积的进气系统

说明书

本实用新型提供一种碳化硅沉积的进气系统，属于化学气相沉积设备技术领域，该进气系统包括罐体、氢气源、第一管路、氩气源、第二管路、第三管路和储存MTS的储液罐，罐体分别通过第一管路、第二管路、第三管路与氢气源、氩气源以及储液罐连通；还包括软管和水源，软管的进水口和出水口分别通过进水管和出水管与水源连通；软管的管壁上固接第一水袋和第二水袋，软管的管壁上设有连通第一水袋的第一通孔和连通第二水袋的第二通孔，第一水袋和第二水袋上分别设有第一座和第二座，第一座和第二座连接时，第一水袋、第二水袋以及软管组成环体，第三管路置于环体的内环孔中。该碳化硅沉积的进气系统可以避免第三管路中的MTS液化，保证沉积出的碳化硅质量。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积设备技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅沉积的进气系统。

背景技术

气相沉积技术(CVD)是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性的金属、非金属或化合物涂层。化学气相淀积是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。其中碳化硅沉积用于以三氯甲基硅烷(也即MTS)为气源的材料表面抗氧化涂层和基体改性，进行碳化硅沉积时，需同时供入氢气、氩气和MTS。

为了保障CVD碳化硅质量，三路气体的比例有严格的要求，在常温下氢气跟氩气都是气态，可以通过质量流量计计算其通入量，但是MTS作为碳化硅沉积的反应源，在常温下是液态，不能直接进入反应腔体进行反应，而是需要加热到50-60℃，再借助氢气将其带入混合罐，进而与另外两路气体混合，最后通过进气管道进入反应腔体，完成反应。进入秋冬季节之后，由于外界温度降低过多，而进气管道路径较长，在运送过程中会发生部分MTS液化，导致进入反应腔体内的反应源配比失调，最终反应在沉积出的碳化硅质量降低，且进气配比不好调节，为生产带来不少问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种碳化硅沉积的进气系统，用于解决现有碳化硅沉积的进气系统在外界温度低时存在部分MTS液化的技术问题。

本实用新型通过下述技术方案实现：一种碳化硅沉积的进气系统，包括：

罐体、氢气源和第一管路，所述第一管路连通所述罐体和所述氢气源；

氩气源和第二管路，所述第二管路连通所述罐体和所述氩气源；

第三管路和储存MTS的储液罐，所述第三管路连通所述罐体和所述储液罐；

还包括软管和水温可调的水源，所述水源中安装有泵体，所述软管的进水口通过进水管与所述泵体的出水端连通，所述软管的出水口通过出水管与所述水源连通；

所述软管的管壁上固接有第一水袋和第二水袋，所述软管的管壁上设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔连通所述第一水袋和所述软管，所述第二通孔连通所述第二水袋和所述软管；

所述第一水袋远离所述软管的一端设有第一座，所述第二水袋远离所述软管的一端设有第二座，所述第一座和所述第二座可拆卸地固接在一起，所述第一水袋、所述第二水袋以及所述软管组成环体，所述第三管路置于所述环体的内环孔中。

进一步地，为了更好的实现本实用新型，所述第一座内设有贯穿该第一座左侧壁和底壁的第一流道，所述第一流道内安装有气门芯，所述第一水袋上设有第三通孔，所述第三通孔连通所述第一流道与所述第一水袋；

所述第二座内设有贯穿该第二座右侧壁和底壁的第二流道且该第二座上设有与该第二流道连通的针头，所述第二水袋上设有第四通孔，所述第四通孔连通所述第二流道和所述第二水袋；

所述针头插在所述气门芯内。