[发明专利]偏置保护环结构的方法、集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202011635105.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113053998A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王奕翔;刘思麟;洪照俊;彭永州 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于偏置保护环结构的方法，包括将MOS晶体管的栅极偏置至第一偏置电压电平，将MOS晶体管的第一S/D区域和第二S/D区域偏置至电压域电压电平，将保护环结构的栅极偏置至第二偏置电压电平，以及将保护环结构的第一重掺杂区和第二重掺杂区偏置至电压域电压电平。第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个都有第一掺杂类型，第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型，以及第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个以及第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都被定位在具有第二掺杂类型的衬底区域中。本申请的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 保护环 结构 方法 集成电路 器件 及其 形成 | ||
【主权项】：
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