[发明专利]偏置保护环结构的方法、集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种偏置保护环结构的方法，所述方法包括：

将金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极偏置至第一偏置电压电平；

将所述金属氧化物半导体晶体管的第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极(S/D)区域偏置至电压域电压电平，所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域中的每一个都有第一掺杂类型；

将所述保护环结构的栅极偏置至第二偏置电压电平；以及

将所述保护环结构的第一重掺杂区和第二重掺杂区偏置至所述电压域电压电平，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区域中的每一个都有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型，

其中，所述第一源极/漏极区域、所述第二源极/漏极区域、所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区域中的每一个都被定位在具有所述第二掺杂类型的衬底区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一偏置电压电平和所述第二偏置电压电平为同一偏置电压电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一掺杂类型为n型，

所述电压域电压电平为接地电压电平，

将所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极偏置至所述第一偏置电压电平包括使所述第一偏置电压电平高于所述接地电压电平，以及

将所述保护环结构的所述栅极偏置至所述第二偏置电压电平包括使所述第二偏置电压电平高于所述接地电压电平。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一掺杂类型为p型，

所述电压域电压电平为电源电压电平，

将所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极偏置至所述第一偏置电压电平包括使所述第一偏置电压电低于所述电源电压电平，以及

将所述保护环结构的所述栅极偏置至所述第二偏置电压电平包括使所述第二偏置电压电平低于所述电源电压电平。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一掺杂类型为n型，

所述电压域电压电平为接地电压电平，

将所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极偏置至所述第一偏置电压电平包括使所述第一偏置电压电低于所述接地电压电平，以及

将所述保护环结构的所述栅极偏置至所述第二偏置电压电平包括使所述第二偏置电压电平低于所述接地电压电平。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一掺杂类型为p型，

所述电压域电压电平为电源电压电平，

将所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极偏置至所述第一偏置电压电平包括使所述第一偏置电压电高于所述电源电压电平，以及

将所述保护环结构的所述栅极偏置至所述第二偏置电压电平包括使所述第二偏置电压电平高于所述电源电压电平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述保护环结构的所述栅极为所述保护环结构的多个栅极中的第一栅极，以及

将所述保护环结构的所述栅极偏置至所述第二偏置电压电平包括将所述保护环结构的多个栅极偏置至所述第二偏置电压电平。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述保护环结构的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区偏置至所述电压域电压电平包括偏置围绕所述金属氧化物半导体晶体管的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中的至少一个。