[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法在审
| 申请号： | 202011625059.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112820768A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，第一氮化镓层，以及第二氮化镓层，第二氮化镓层形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 制造 方法 | ||
【主权项】：
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