[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法

说明书

本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，第一氮化镓层，以及第二氮化镓层，第二氮化镓层形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体外延结构及其应用与制造方法。

背景技术

由于第三代半导体材料，例如氮化镓或碳化硅，具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以作为半导体材料，而获得半导体外延结构。

但是在第三代半导体材料，例如氮化镓作为半导体外延结构时，仍具有多种问题，例如由于不同于基板的热膨胀系数，当加工之后冷却时，基板上的氮化镓层由于较厚的基板对它们所产生的约束而具有碎裂的倾向。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，提高所述半导体外延结构的质量，以形成垂直导通型的半导体器件。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体外延结构，该半导体外延结构包括：

基板；

第一氮化镓层；以及

第二氮化镓层，其形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。

在本发明一实施例中，所述第一氮化镓层为多晶结构或单晶结构。

在本发明一实施例中，所述第一氮化镓层为非晶结构。

在本发明一实施例中，所述第一氮化镓层与第二氮化镓层分别使用不同的制程方法或不同制程设备来形成。

本发明还提供一种半导体结构，其包括：

第一氮化镓层；以及

第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。

本发明还提供一种发光二极管结构，其包括所述半导体结构。

本发明还提供一种半导体器件，其包括所述半导体结构。

本发明还提供一种电子装置，其包括所述半导体器件。

本发明还提供一种半导体外延结构的制造方法，其至少包括以下步骤：

形成第一氮化镓层于基板上；以及

形成第二氮化镓层于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。

本发明还提供一种半导体结构的制造方法，其至少包括以下步骤：

形成第一氮化镓层于基板上；

形成第二氮化镓层于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构；以及

移除至少部分所述基板。

综上所述，本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，可以获得高质量的外延结构，用于形成垂直导通型的半导体器件。

附图说明

图1：本实施例提出的生长腔体的简要示意图。

图2：本实施例中基座的另一简要示意图。

图3：本实施例中基座的背面示意图。

图4：本实施例中加热器的简要示意图。