[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法在审
| 申请号： | 202011625059.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112820768A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 制造 方法 | ||
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：
基板；
第一氮化镓层；以及
第二氮化镓层，其形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。
2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述第一氮化镓层为多晶结构或单晶结构。
3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述第一氮化镓层为非晶结构。
4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于：所述第一氮化镓层与第二氮化镓层分别使用不同的制程方法或不同制程设备来形成。
5.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一氮化镓层；以及
第二氮化镓层，形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。
6.一种发光二极管结构，其特征在于，其包括：权利要求5所述的半导体结构。
7.一种半导体器件，其特征在于，其包括：权利要求5所述的半导体结构。
8.一种电子装置，其特征在于，其包括：权利要求7所述的半导体器件。
9.一种半导体外延结构的制造方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
形成第一氮化镓层于基板上；以及
形成第二氮化镓层于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构。
10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
形成第一氮化镓层于基板上；
形成第二氮化镓层于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构；以及
移除至少部分所述基板。
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