[发明专利]掩膜装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202011621127.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114038749A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李松举;孙贤文;付东 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王南杰 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜装置及其制备方法。本发明的掩膜装置包括掩膜框架以及掩膜主体；所述掩膜框架具有掩膜表面以及掩膜底面，所述掩膜框架的内壁具有用于承托所述掩膜主体的凹台结构，所述掩膜主体具有镂空的镀膜区域，所述掩膜主体具有第一表面以及第二表面，所述第二表面具有引流缓冲槽，所述第二表面具有第二覆膜，所述掩膜主体配合于所述凹台结构并与所述掩膜框架连接，所述第二表面与所述凹台结构接触配合，所述第一表面与所述掩膜表面朝向一致，所述第一表面和/或所述掩膜表面上具有第一覆膜。本发明的掩膜装置能够极大程度上减少反应物沉积在衬底，掩膜能力高，降低原子层沉积技术中的阴影效应。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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