[发明专利]掩膜装置及其制备方法

权利要求书

1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜框架以及掩膜主体；所述掩膜框架具有掩膜表面以及掩膜底面，所述掩膜框架的内壁具有用于承托所述掩膜主体的凹台结构，所述掩膜主体具有镂空的镀膜区域，所述掩膜主体具有第一表面以及第二表面，所述第二表面具有引流缓冲槽，所述第二表面具有第二覆膜，所述掩膜主体通过部分所述第二表面配合于所述凹台结构并与所述掩膜框架连接，所述第一表面与所述掩膜表面朝向一致，所述第一表面和/或所述掩膜表面上具有第一覆膜。

2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述引流缓冲槽为环绕所述镀膜区域的环形槽。

3.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述引流缓冲槽由槽底面至槽口方向逐渐收窄。

4.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述引流缓冲槽的深度为所述掩膜主体厚度的1/3～1/2。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述引流缓冲槽的数量为多个，相邻的所述引流缓冲槽之间均具有间隔。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一覆膜为电镀镀层、纳米涂层、有机镀层、氧化层以及溅射镀层中的一种或几种。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二覆膜为亲水性镀层。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述凹台结构的深度与所述掩膜主体的厚度相等，以使得所述第一表面与所述掩膜表面齐平。

9.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述凹台结构的宽度为1～10mm。

10.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度为0.05～2mm。

11.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述镂空区域包括多个镂空子区域。

12.一种掩膜装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备具有镂空区域以及环绕至少部分所述镂空区域的凹台结构的掩膜框架；

对掩膜基板的第一表面进行第一半蚀刻处理形成凹槽，对所述掩膜基板的第二表面进行第二半蚀刻处理以贯通所述凹槽形成镂空的镀膜区域，以及在所述第二表面的至少部分非镂空区域形成引流缓冲槽；

在所述第二表面以及所述引流缓冲槽的内壁上制备第二覆膜，得到掩膜主体；

将所述掩膜主体安装于所述掩膜框架内，且所述第二表面与所述凹台结构接触配合，连接所述掩膜主体以及所述掩膜框架；

在所述第一表面的至少部分非镂空区域和/或所述掩膜框架的至少部分掩膜表面制备第一覆膜。