[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011608930.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695508A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 方冬;肖魁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 胡竞之 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一掺杂类型的掺杂层，所述掺杂层中设置有沟槽；位于所述掺杂层中的第二掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区包括位于所述沟槽底部的第一掺杂区；以及金属电极，其中，所述金属电极包括嵌入所述掺杂层中的所述沟槽的第一部分，所述第一部分与所述第一掺杂区欧姆接触，所述第一部分与所述沟槽的侧壁上未形成所述掺杂区的所述掺杂层肖特基接触。根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件，提高电流密度，减小漏电流，提高了器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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