[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一掺杂类型的掺杂层，所述掺杂层中设置有沟槽；

位于所述掺杂层中的第二掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区包括位于所述沟槽底部的第一掺杂区；以及

金属电极，其中，所述金属电极包括嵌入所述掺杂层中的所述沟槽的第一部分，所述第一部分与所述第一掺杂区欧姆接触，所述第一部分与所述沟槽的侧壁上未形成所述掺杂区的所述掺杂层肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述掺杂区还包括位于所述掺杂层表面以下的第二掺杂区，所述第二掺杂区的深度小于所述沟槽的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂层中设置有至少两个沟槽。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽包括沿着第一方向并列设置的至少两个条状沟槽，其中所述条状沟槽在与所述第一方向交叉的第二方向上从有源区的第一端延伸到与所述第一端相对应的第二端。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽包括位于所述条状沟槽之间的凹型沟槽。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂层中设置有至少两列沟槽，其中，所述至少两列沟槽中的每一列至少包括两个所述沟槽。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽包括环形凹型沟槽以及在所述环形凹型沟槽所环绕的所述掺杂层中设置的凹型沟槽。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一掺杂类型的掺杂层；

在所述掺杂层中形成沟槽；

在所述掺杂层中形成第二掺杂类型的掺杂区，其中所述掺杂区包括位于所述沟槽底部的第一掺杂区，并且所述第一掺杂区以上的至少部分所述沟槽的侧壁外侧的所述掺杂层中未形成所述掺杂区；

形成金属电极，所述金属电极至少填充所述沟槽，其中，所述金属电极与所述掺杂区形成欧姆接触，所述金属电极与所述掺杂层在所述沟槽的侧壁的至少部分上形成肖特基接触。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述掺杂层中形成至少两个沟槽，位于相邻两个所述沟槽之间的所述掺杂层形成突出部。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述沟槽的底部形成第二掺杂类型的掺杂区的方法包括：

执行离子注入工艺，以将所述沟槽底部以下的第一深度的所述掺杂层转化为所述掺杂区。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽的底部形成第二掺杂类型的掺杂区的步骤，还包括将所述突出部的表面以下的第二深度的所述掺杂层转化为所述掺杂区，所述第二深度小于所述沟槽的深度。