[发明专利]一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路在审
| 申请号： | 202011608334.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112634958A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓敏;唐小青;王强 | 申请（专利权）人： | 南京低功耗芯片技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低SRAM睡眠状态漏电的电路，包含PVT追踪模块和阵列刷新模块；PVT追踪模块，用于追踪温度变化和全局工艺偏差，输出一个参考电压值；阵列刷新模块，用于根据PVT追踪电路的输出参考电压值，动态调节SRAM存储阵列的供电电压。本发明用一串连接的MOS管对电源电压进行分压，以多个分压点处的电压值作为参考值，给数据保持的复制单元进行供电，从而追踪不同PVT条件下合适的翻转点电压；同时，阵列采用交替的供电方式，使其在睡眠状态下能够在极低保持电压下尽心数据保持，从而带来更低的阵列漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sram 睡眠 状态 漏电 电路 | ||
【主权项】：
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