[发明专利]栅极的制造方法在审
| 申请号： | 202011561763.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701034A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 付嵛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，利用ISO区域loading效应，采用降低光刻胶的厚度，如此ISO区域光刻胶降低的速率也会相应较慢以达到减小不同区域光刻胶厚度差异的效果；并且由于光刻胶减薄，EB1去除多晶硅栅顶层光刻胶的干刻程式强度也可以相应减小，那么ISO区域EB1时可以消耗更少的光刻胶，以便增加后续EB2的defect window，而弥补干刻工艺过程中OX residue与SiGe film damage工艺窗口不足的问题，而达到改善HK28光刻胶回刻流程干刻工艺后缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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