[发明专利]栅极的制造方法在审
| 申请号： | 202011561763.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701034A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 付嵛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
1.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：
S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅栅，所述半导体衬底中形成有场氧化层，由所述场氧化层隔离出有源区，空旷区、孤立图形区和密集图形区分别位于不同的有源区；
S2：在所述多晶硅栅的表面形成硬质掩模层，所述硬质掩膜层由第一氮化层和第二氧化层叠加而成；
S3：进行光刻刻蚀形成多个伪栅极结构，各所述伪栅极结构由刻蚀后的所述栅介质层、所述多晶硅栅和所述硬质掩模层叠加而成；
S4：在各所述伪栅极结构的侧面形成侧墙；
S5：在所述伪栅极结构两侧的有源区中形成器件的源区和漏区，在形成器件的源区和漏区的过程中包括组件增强工艺，所述组件增强工艺在p型场效应晶体管的源区或漏区形成锗硅层；
S6：形成光刻胶，光刻胶在密集图形区高出伪栅极结构15nm至25nm之间，在空旷区高出衬底90nm至110nm之间；
S7：进行第一次光刻胶的回刻刻蚀，将所有多晶硅栅上的光刻胶打开；
S8：进行第二次光刻胶的回刻刻蚀，去除硬质掩模层的第二氧化层；以及
S9：去除多晶硅栅，在多晶硅栅的去除区域形成金属栅。
2.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，在S6中从密集图形区、孤立图形区至空旷区光刻胶的顶部高度依次减小。
3.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，在S6中光刻胶在密集图形区高出伪栅极结构20nm，在空旷区高出半导体衬底100nm。
4.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，S7中第一次光刻胶的回刻刻蚀刻蚀掉45nm至65nm的光刻胶。
5.根据权利要求4所述的栅极的制造方法，其特征在于，第一次光刻胶的回刻刻蚀刻蚀掉55nm的光刻胶。
6.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，在S6和S7之间还包括S61：通过一道光刻工艺，将大块多晶硅栅上的光刻胶打开。
7.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
8.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，所述栅介质层包括高介电常数层。
9.根据权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，所述场氧化层为浅沟槽场氧。
10.根据权利要求9所述的栅极的制造方法，其特征在于，采用浅沟槽隔离工艺形成所述浅沟槽场氧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
