[发明专利]一种制造互连结构的方法及存储器件在审
| 申请号： | 202011561498.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114758982A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 金廷修;高建峰;刘金彪;李俊杰;白国斌;刘卫兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造互连结构的方法及存储器件，其中所述方法包括：在第一有源区上方形成第一接触孔；其中，第一接触孔位于金属线之间；在第一有源区和第二有源区上方形成多晶硅层；其中，多晶硅层将第一接触孔填充；在第二有源区上方形成第二接触孔；向第二接触孔内的第二有源区进行离子注入；刻蚀多晶硅层，并在第一接触孔内形成接触塞；在第一有源区和第二有源区的上方形成金属层；其中，金属层将第一接触孔和第二接触孔填充，并形成连接。本发明方法在离子注入之后才进行多晶硅层的刻蚀，可在刻蚀之前的沉积、清洗以及离子注入等工艺中对多晶硅层下方的金属线结构形成保护，避免了损坏，进而提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 互连 结构 方法 存储 器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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