[发明专利]一种制造互连结构的方法及存储器件

说明书

本发明公开了一种制造互连结构的方法及存储器件，其中所述方法包括：在第一有源区上方形成第一接触孔；其中，第一接触孔位于金属线之间；在第一有源区和第二有源区上方形成多晶硅层；其中，多晶硅层将第一接触孔填充；在第二有源区上方形成第二接触孔；向第二接触孔内的第二有源区进行离子注入；刻蚀多晶硅层，并在第一接触孔内形成接触塞；在第一有源区和第二有源区的上方形成金属层；其中，金属层将第一接触孔和第二接触孔填充，并形成连接。本发明方法在离子注入之后才进行多晶硅层的刻蚀，可在刻蚀之前的沉积、清洗以及离子注入等工艺中对多晶硅层下方的金属线结构形成保护，避免了损坏，进而提高了器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种制造互连结构的方法及存储器件。

背景技术

在现有技术中，会在存储单元的接触部上形成多晶硅塞，然后再形成存储单元与周边电路的连接结构。在上述连接结构的工艺制作过程中，一般都会使用到干法刻蚀、沉积、清洗等工艺。

但是在采用现有的工艺方法对存储单元与周边电路的互连结构完成制造后，发现存储单元位线及其外侧部分存在着较多缺陷，最终导致存储器件的良率下降和性能不稳定。

发明内容

本申请实施例通过提供一种制造互连结构的方法及存储器件，在互连结构的制造过程中可通过多晶硅层对其下方的金属线结构形成保护，避免了损坏，进而提高了器件的稳定性。

第一方面，本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

一种制造互连结构的方法，包括：

在第一有源区上方形成第一接触孔；其中，所述第一接触孔位于金属线之间；在所述第一有源区和第二有源区上方形成多晶硅层；其中，所述多晶硅层将所述第一接触孔填充；在所述第二有源区上方形成第二接触孔；向所述第二接触孔内的所述第二有源区进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，并在所述第一接触孔内形成接触塞；在所述第一有源区和所述第二有源区的上方形成金属层；其中，所述金属层将所述第一接触孔和所述第二接触孔填充，并形成连接。

可选的，所述在第一有源区上方的金属线之间形成第一接触孔，包括：

在所述第一有源区和所述第二有源区上方形成第一掩膜；在所述第一有源区上方进行刻蚀，形成第一接触孔；去除所述第一掩膜。

可选的，所述在第二有源区上方形成第二接触孔，包括：

在所述多晶硅层上形成第二掩膜；对所述第二有源区上方的所述多晶硅层进行刻蚀，形成所述第二接触孔。

可选的，所述向所述第二接触孔内的所述第二有源区进行离子注入，包括：

对所述第二接触孔内的所述第二有源区进行N+型离子注入。

可选的，所述向所述第二接触孔内的所述第二有源区进行离子注入，包括：

对所述第二接触孔内的所述第二有源区进行P+型离子注入。

可选的，所述刻蚀所述多晶硅层，并在所述第一接触孔内形成接触塞，包括：

在所述第二接触孔内形成第三掩膜；刻蚀所述多晶硅层，在所述第一接触孔内形成接触塞。

可选的，第一有源区为存储单元区的有源区，第二有源区为周边电路区的有源区。

可选的，所述金属线为位线。

可选的，其特征在于，所述金属层为钨金属。

第二方面，本申请通过本申请的一实施例，提供如下技术方案：

一种存储器件，包括采用上述第一方面中任一所述方法制造的互连结构。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：