[发明专利]终端结构及其制造方法、半导体器件、电子装置在审

专利信息
申请号: 202011520108.5 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN114649398A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 钟树理;卢汉汉;吴海平;邱凯兵 申请(专利权)人: 比亚迪半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/04;H01L29/78
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 姚章国
地址: 518119 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件和电子装置,所述终端结构包括:衬底,所述衬底具有第一导电类型;阱区,形成于所述衬底中,所述阱区具有第二导电类型,其中,所述阱区自所述衬底的第一表面向衬底内延伸预定深度;掺杂材料区,所述掺杂材料区设置于所述半导体器件的侧壁以内的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中,其中,所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子;第一电极,所述第一电极位于所述衬底的第一表面;第二电极,所述第二电极位于所述衬底的第二表面,所述第一表面和所述第二表面相对设置。本申请的方案,仅占用了较小的芯片面积,有利于降低器件成本,且提高了器件的耐压特性。
搜索关键词: 终端 结构 及其 制造 方法 半导体器件 电子 装置
【主权项】:
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