[发明专利]终端结构及其制造方法、半导体器件、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括：

衬底，所述衬底具有第一导电类型；

阱区，形成于所述衬底中，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述衬底的第一表面向衬底内延伸预定深度；

掺杂材料区，所述掺杂材料区设置于所述半导体器件的侧壁以内的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子；

第一电极，所述第一电极位于所述衬底的第一表面；

第二电极，所述第二电极位于所述衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置。

2.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述掺杂材料区为高阻材料区，所述高阻材料区的电阻率大于第一阈值电阻率且小于第二阈值电阻率。

3.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述非电活性离子包括氧离子。

4.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述掺杂材料区中掺杂的所述非电活性离子占所述掺杂材料区中所有原子数量的15％～35％。

5.如权利要求1所述的终端结构，其特征在于，所述掺杂材料区的厚度小于或等于所述衬底的厚度。

6.一种半导体器件的终端结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供具有第一导电类型的晶圆；

在所述晶圆的第一表面以内的所述晶圆中形成阱区，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述晶圆的第一表面向所述晶圆内延伸预定深度；

在所述晶圆的第一表面上形成第一电极；

在所述晶圆的第二表面上形成第二电极；

对所述晶圆进行切割，以获得多个芯片；

在每个所述芯片的侧面的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中形成掺杂材料区，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子。

7.一种半导体器件的终端结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供具有第一导电类型的衬底，其中，所述衬底上具有至少一个芯片区域，一个芯片区域对应一个预定形成的芯片；

在所述衬底的第一表面以内的所述衬底中形成阱区，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述衬底的第一表面向所述衬底内延伸预定深度；

在所述衬底上的至少一个芯片区域的边缘区域的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中形成掺杂材料区，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述衬底具有和所述第一表面相对设置的第二表面，所述制造方法还包括：

在所述衬底的第一表面形成第一电极；

在所述衬底的第二表面形成第二电极。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上的至少一个芯片区域的边缘区域的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中形成掺杂材料区，包括：

自所述衬底的第一表面或第二表面向至少一个芯片区域的边缘区域的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中注入所述非电活性离子，以形成所述掺杂材料区。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，当在所述衬底的第一表面形成第一电极，并在所述衬底的第二表面形成第二电极之后，所述制造方法还包括：

对所述衬底进行切割，以获得多个芯片。

11.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂材料区为高阻材料区，所述高阻材料区的电阻率大于所述第一阈值电阻率且小于第二阈值电阻率。

12.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述非电活性离子包括氧离子。

13.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂材料区中掺杂的所述非电活性离子占所述掺杂材料区中所有原子数量的15％～35％。