[发明专利]终端结构及其制造方法、半导体器件、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件的终端结构及其制造方法、半导体器件和电子装置，所述终端结构包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；阱区，形成于所述衬底中，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述衬底的第一表面向衬底内延伸预定深度；掺杂材料区，所述掺杂材料区设置于所述半导体器件的侧壁以内的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子；第一电极，所述第一电极位于所述衬底的第一表面；第二电极，所述第二电极位于所述衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置。本申请的方案，仅占用了较小的芯片面积，有利于降低器件成本，且提高了器件的耐压特性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种终端结构及其制造方法、半导体器件、电子装置。

背景技术

在现有的功率器件中，PN结通常需在器件的边缘做终端处理，用于解决由于PN结的曲率半径带来的耐压降低的问题，高阻材料如掺氧多晶硅技术就是其中的一种，通常常规的技术是在器件的表面形成高阻材料，该技术的不足之处在于，高阻材料需要占用一定的芯片面积，而其大部分面积对正向导通特性没有正面影响。因此，如何降低终端区域占用的面积，对降低器件成本有积极意义。

鉴于上述问题的存在，有必要提出一种新的半导体器件的终端结构及其制造方法和半导体器件。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本发明提供一种半导体器件的终端结构，所述终端结构包括：

衬底，所述衬底具有第一导电类型；

阱区，形成于所述衬底中，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述衬底的第一表面向衬底内延伸预定深度；

掺杂材料区，所述掺杂材料区设置于所述半导体器件的侧壁以内的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子；

第一电极，所述第一电极位于所述衬底的第一表面；

第二电极，所述第二电极位于所述衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置。

在一个示例中，所述掺杂材料区为高阻材料区，所述高阻材料区的电阻率大于第一阈值电阻率且小于第二阈值电阻率。

在一个示例中，所述非电活性离子包括氧离子。

在一个示例中，所述掺杂材料区中掺杂的所述非电活性离子占所述掺杂材料区中所有原子数量的15％～35％。

在一个示例中，所述掺杂材料区的厚度小于或等于所述衬底的厚度。

本申请再一方面提供一种半导体器件的终端结构的制造方法，所述制造方法包括：

提供具有第一导电类型的晶圆；

在所述晶圆的第一表面以内的所述晶圆中形成阱区，所述阱区具有第二导电类型，其中，所述阱区自所述晶圆的第一表面向所述晶圆内延伸预定深度；

在所述晶圆的第一表面上形成第一电极；

在所述晶圆的第二表面上形成第二电极；

对所述晶圆进行切割，以获得多个芯片；

在每个所述芯片的侧面的部分阱区以及阱区下方的部分衬底中形成掺杂材料区，其中，所述掺杂材料区中掺杂有非电活性离子。

本申请又一方面提供一种半导体器件的终端结构的制造方法，所述制造方法包括：