[发明专利]一种长寿命二极管的制备工艺有效
| 申请号： | 202011466095.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112750766B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李斌;李金栋 | 申请（专利权）人： | 山东融创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/48;H01L21/56;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 252800 山东省聊城市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种长寿命二极管的制备工艺，包括：步骤1，二极管晶粒的制备；步骤2，向铜引线电极喷雾化的松香异丙醇溶液；步骤3，装填；步骤4，焊接；步骤5，清洗；步骤6，塑封。本发明方法生产的二极管，气孔面积小，良品率高，有效避免焊接不密集牢固的问题。提高产品高温下的可靠性，特别是有效改善二极管的反向稳定耐压、稳定低正向压降、高温漏电流、使用寿命等指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 寿命 二极管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
