[发明专利]一种长寿命二极管的制备工艺有效
申请号: | 202011466095.8 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112750766B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 李斌;李金栋 | 申请(专利权)人: | 山东融创电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/48;H01L21/56;H01L29/861 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 252800 山东省聊城市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 寿命 二极管 制备 工艺 | ||
1.一种长寿命二极管的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:二极管晶粒的制备
1.1:在硅晶片的厚度方向预切割,形成不完全切开的二极管晶粒,硅晶片的切割深度为硅晶片总厚度的2/3~3/4;
1.2:将在厚度方向预切割的硅晶片N面朝下放在晶粒裂解纸上,切割刀口方向朝上,轻压,使得不完全切开的二极管晶粒完全裂解,形成晶片;
步骤2:向铜引线电极喷雾化的松香异丙醇溶液
松香异丙醇溶液中,松香与异丙醇的质量比为1:10-15;
步骤3:装填
将两铜引线电极、两焊片、晶片装入工夹具内;各铜引线电极包括台面、引线;各铜引线电极、焊片、晶片的横截面均呈圆形,各铜引线电极、焊片、晶片同轴设置;
各铜引线电极的台面的尺寸等于晶片的尺寸,焊片的直径略大于晶片的直径;焊片的厚度为0.04-0.05mm;
步骤4:焊接
装填好的焊接舟,再次放入隧道炉中进行焊接,形成二极管焊接件;
隧道炉的保护气体喷口有五路,第一路喷口设置在隧道炉的的进料口,第五路喷口设置在隧道炉的出料口,第二路喷口、第三路喷口分别设置在隧道炉的加热段的底部、上部,第四路喷口设置在隧道炉的降温段;
每次开炉前,先打开第二路喷口、第三路喷口、第四路喷口,喷出保护气体,保持第二路喷口、第三路喷口、第四路喷口的流量为4500-5500升/小时,此时第一路喷口、第五路喷口关闭,将炉膛中的空气被通入的保护气体彻底赶净;然后打开第一路喷口、第五路喷口喷出保护气体,第一路喷口的流量控制在2000-2500升/小时,第五路喷口的流量控制在2500-3000升/小时;降低第二路喷口的流量至2500-3000升/小时,降低第三路喷口、第四路喷口的流量至3000-3500升/小时;
确认流量稳定时方可开始进料焊接;所述保护气体为氮气;焊接温度和时间为:以16.5±0.5℃/min的升温斜率在隧道炉的加热段加热焊接舟至330~340℃,焊接温度维持时间:8~10min;再将焊接舟送至隧道炉的降温段,以5.0±0.5℃/min的降温斜率降温至70±5℃,出炉,最后自然降至室温;
步骤5:清洗
包括如下步骤:
5.1:按照浓度>68%的硝酸:浓度>48%的氢氟酸:浓度>99%的冰醋酸:浓度>98%的硫酸的体积比=10:95-105:11-12:2-3混合搅拌制得1号液;1号液的酸洗温度不得超过28℃;用混合酸对焊接后的二极管焊接件酸洗130-150秒,然后用去离子水冲洗二极管焊接件;采取加热装置保证去离子水的温度控制在20-30℃,利于污物有效去除;冲洗二极管焊接件过程中,冲洗喷头来回摆动;
5.2:将浓度为85±1%的磷酸:浓度35±1%的双氧水:浓度>48%的氢氟酸:2-羟基膦酰基乙酸:纯水按照体积比=10:15-20:2-3:1-2:30混合搅拌制得2号液,2号液体的温度不得超过30℃,二极管焊接件在此酸洗液中清洗50-60秒,然后用去离子水冲洗;冲洗二极管焊接件过程中,冲洗喷头来回摆动;
5.3:将浓度25%~28%的氨水、浓度为35±1%的双氧水和纯水按照体积比为5-6:1:12-14比例混合均匀制得3号液,将3号液加热至60-65℃,使用3号液将二极管焊接件清洗50-60秒,然后用去65℃以上的离子水冲洗二极管焊接件;冲洗二极管焊接件过程中,冲洗喷头来回摆动;
5.4:清洗后的二极管焊接件在去离子水超声或者兆声清洗,然后用60℃以上的去离子水冲洗二极管焊接件;
5.5:二极管焊接件放入甲醇中浸泡;
5.6:将二极管焊接件烘干;
步骤6:塑封
对清洗烘干后的二极管焊接件的晶片及台面的径向外周表面上白胶,白胶固化后,进行二极管封装成型制得成品。
2.如权利要求1所述的一种长寿命二极管的制备工艺,其特征在于:将炉膛中的空气被通入的保护气体彻底赶净时,第二路喷口、第三路喷口、第四路喷口喷出气体的时间不少于40分钟。
3.如权利要求1所述的一种长寿命二极管的制备工艺,其特征在于:步骤6中,用模具及压机把塑封料包覆到已焊接二极管的有晶片部位,只将两引线裸露在外,实现对二极管封装成型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造