[发明专利]一种长寿命二极管的制备工艺有效
申请号: | 202011466095.8 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112750766B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 李斌;李金栋 | 申请(专利权)人: | 山东融创电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/48;H01L21/56;H01L29/861 |
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地址: | 252800 山东省聊城市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 寿命 二极管 制备 工艺 | ||
本发明公开了一种长寿命二极管的制备工艺,包括:步骤1,二极管晶粒的制备;步骤2,向铜引线电极喷雾化的松香异丙醇溶液;步骤3,装填;步骤4,焊接;步骤5,清洗;步骤6,塑封。本发明方法生产的二极管,气孔面积小,良品率高,有效避免焊接不密集牢固的问题。提高产品高温下的可靠性,特别是有效改善二极管的反向稳定耐压、稳定低正向压降、高温漏电流、使用寿命等指标。
技术领域
本发明涉及半导体二极管的制造,具体涉及一种二极管的制备工艺。
背景技术
此外,现有技术中,上、下石墨舟必须具有相当的同心度,不良的同心度焊接的材料上、下引线的同心度难以保证,这样,至少会产生如下几个弊病:A上胶时难上,严重时会断料;B成型时使晶片受到不应有的切合应力(此应力会使IR变大,PIV降低),严重时会使晶粒破裂,尤其是SKY、GPP器件。由于这两类器件的正面焊接区受到严格的限制,不好同心度除了会导致上述的弊病外,还会使焊锡溢出焊接区而导致短路或LP。现有技术中缺乏控制同心度的好办法。
现有技术中,塑封时一般不用的环氧塑封料都在冷库(<10℃)中存放,而压模站的室温即使在冬季也高于10℃,即贮存场所与使用场所存在不可忽视的温度差,自冷库取出的环氧模塑料移入高温的成型站,如果立即使用,往往会在其表面,凝结一层水珠,成型前的预热是靠高频的加热作用实现的,理想的预热应是内外温度均匀一致,但如果塑封块表面附着有水珠,它对高频强烈吸收,而使表面温度急剧升高,另方面,因为高频达不到塑封块的内部(高频被表面水珠吸收尽了),因而内部仍是冷的,这样就形成“夹生”状态,当这样的“预热”块靠转进压力压入模腔时,塑块的表层由于早就达到高温,就会产生早期硬化的毛病,而因饼块软硬度不均、流动性过小也无法注入模腔。
现有技术中,开放结塑封硅整流二极管的结构见图1、图2。理想的焊接面应该是无气孔的,但实际上隧道炉焊接的器件总是存在某些气孔.产生焊接气孔必须具备两个条件:(1)、焊接面有气体存在或焊接时焊接面处有气体产生(2)、这些气体在焊锡凝固(液相变为固相)前还来不及跑出焊接面。
构成气孔的气源主要来自三个方面:A.因为引线台面、焊片、晶片之间装填时不可能绝对紧密接触,即总是存在一定的氮气;B.引线、焊片、镍镀层表面的氧化膜被氢还原后产生的水蒸气;C.助焊剂分解产生的气体。所以焊接面中存在的这些气泡,由于重力的作用会慢慢移动而逸出焊接面,但这与材料在焊接炉中的行进速度有关(链速),一定的链速规定了材料处于高温区的时间,一旦材料走出高温区,材料开始冷却,焊锡重新凝固,此时尚未移出焊接面的气泡就再也出不来了,这就是焊接气孔形成的机理。
焊接气孔的存在对器件电性的危害主要表现在两个方面:A.对正向的危害,气孔的存在减小了晶片的有效面积,使正向电阻增大,相应的热阻也变大,VF增加,可以承受的正向浪涌电流下降。B.对反向的危害,以往认为焊接不良只对正向有不良影响,其实不然,不良的焊接对反向的影响甚至比正向还严重。反向的好坏很大程度上取决于晶粒侧面的清洁程度,如果焊接面上存在过多之边缘气孔,这种微小的空隙就成了晶片台面藏污纳污的场所,酸洗时产生的多种导电杂质一旦进入此气孔,就很难被清洗出来,只要这些脏物不跑到P-N结附近,则器件的反向电性不会呈现任何不良,但是这些脏物在热、电场等的作用下会从小孔逸出而跑到P-N结附近,就会导致器件的反向特性就变坏(电性衰降),这是器件电性品质随时间而变坏的主要原因。
此外,铜引线电极一般都用无氧铜,由于拉成线材时的工艺条件不一致,有的无氧铜引线硬度较大,在二极管成型固化时会对晶片造成大的压应力,轻则会使通过P-N结表面的反向电流IR增大,重则会使晶片破损而彻底失效。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造