[发明专利]基板处理装置和载置台在审
| 申请号： | 202011457639.4 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112992769A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 我妻雄一郎;渡边将久;中村麻由子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置和载置台。在利用具有贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。用于对基板进行处理的基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通的贯通孔的载置台，其上表面供基板载置并对基板进行加热和/或冷却；贯穿于贯通孔的基板支承销；构成为能够支承基板支承销的支承构件，基板支承销具有：构成为能够经由贯通孔自载置台的上表面突出的突出部；位于突出部的下方并形成得比突出部粗的大径部，载置台还具有形成为自载置台的侧面延伸并与贯通孔相交、供支承构件插入的横孔，在支承构件插入于横孔的状态下利用与大径部之间的卡合来支承基板支承销，贯通孔的上侧的开口端比大径部细。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 载置台 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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