[发明专利]基板处理装置和载置台在审
申请号: | 202011457639.4 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112992769A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 我妻雄一郎;渡边将久;中村麻由子 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 载置台 | ||
本发明提供基板处理装置和载置台。在利用具有贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。用于对基板进行处理的基板处理装置包括:具有沿上下方向贯通的贯通孔的载置台,其上表面供基板载置并对基板进行加热和/或冷却;贯穿于贯通孔的基板支承销;构成为能够支承基板支承销的支承构件,基板支承销具有:构成为能够经由贯通孔自载置台的上表面突出的突出部;位于突出部的下方并形成得比突出部粗的大径部,载置台还具有形成为自载置台的侧面延伸并与贯通孔相交、供支承构件插入的横孔,在支承构件插入于横孔的状态下利用与大径部之间的卡合来支承基板支承销,贯通孔的上侧的开口端比大径部细。
技术领域
本公开涉及基板处理装置和载置台。
背景技术
在专利文献1中,公开了一种在对基板进行高温处理的情况下防止由于处理气体的迂回等而使基板处理的均匀性受到不良影响的基板处理装置。该基板处理装置具有:基座、升降驱动装置、多个基板支承销以及移动阻止构件。基座水平配置,使基板搭载在其上表面而对该基板进行支承。升降驱动装置在用于支承基板的第1位置和低于该第1位置的使基板的支承待机的第2位置之间驱动基座而升降。基板支承销被支承为能够相对于基座沿上下方向移动,在基座定位于第2位置的情况下支承基板。移动阻止构件在基座从第1位置向第2位置移动时阻止基板支承销的向下方的移动。在基座形成有用于供基板支承销插入的销插入孔,另外,基板支承销的上端部的直径设定为大于销插入孔的直径。由此,基板支承销被支承为能够相对于基座沿上下方向移动。此外,在基座的销插入孔的上端部形成有用于收容大径的基板支承销的上端部的凹部。
专利文献1:日本特开平11-111821号公报
发明内容
本公开所涉及的技术在利用具有供基板支承销贯穿的贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。
本公开的一技术方案为一种基板处理装置,该基板处理装置用于对基板进行处理,该基板处理装置包括:载置台,其具有沿上下方向贯通的贯通孔,该载置台的上表面供基板载置并且对所载置的该基板进行加热和冷却中的至少任一者;基板支承销,其贯穿于所述贯通孔;以及支承构件,其构成为能够支承所述基板支承销,所述基板支承销具有:突出部,其构成为能够经由所述载置台的所述贯通孔自该载置台的上表面突出;以及大径部,其位于所述突出部的下方并形成得比所述突出部粗,所述载置台还具有横孔,该横孔形成为自该载置台的侧面延伸并与所述贯通孔相交,所述横孔供所述支承构件插入,在所述支承构件插入于所述载置台的所述横孔的状态下所述支承构件利用其与所述基板支承销的所述大径部之间的卡合来支承该基板支承销,所述载置台的贯通孔的上侧的开口端比所述基板支承销的大径部细。
根据本公开,在利用具有供基板支承销贯穿的贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。
附图说明
图1是示意性表示作为本实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图,由剖面示出成膜装置的局部。
图2是图1的局部放大图。
图3是支承构件的顶端的放大俯视图。
图4是将载置台的贯通孔附近放大地示出的图。
图5是表示晶圆处理时的图1的成膜装置的内部状态的局部放大剖视图。
图6是表示晶圆处理时的图1的成膜装置的内部状态的局部放大剖视图。
图7是用于说明支承构件的另一例子的局部放大俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造