[发明专利]超结器件及制作方法在审
| 申请号： | 202011443350.7 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114613834A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)在第一衬底及第二衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽及第二沟槽，沟槽呈倒梯形；2)将第一衬底与第二衬底键合；3)减薄第一衬底，并保留一支撑层；4)氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽，所述沟槽呈纺锤形结构。本发明通过将分别刻蚀形成有倒梯形沟槽的第一衬底与第二衬底键合，形成纺锤形沟槽结构，并通过减薄显露出该纺锤形沟槽结构，纺锤形沟槽结构可以缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011443350.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
